B体育专利摘要显示，本发明提出了一种芯片电性失效分析的方法，属于半导体制造技术领域，所述方法至少包括：提供一基板，包括相对设置的第一表面和第二表面；在所述第一表面和所述第二表面设置导电线路；在所述导电线路上形成保护层B体育，所述保护层暴露所述第一表面上的部分所述导电线路；将晶粒粘接在所述第一表面上，且所述晶粒与暴露的所述导电线路电性连接；在所述第一表面上形成密封膜B体育B体育，所述密封膜覆盖所述晶粒；在所述第二表面上植入多个焊球；将多个所述焊球表面进行摩擦B体育，形成平面，所述平面位于远离所述基板的一侧；以及将金属导线焊接在所述平面上，进行电性失效分析B体育。本发明提供的一种芯片电性失效分析的方法，能有效提高芯片失效分析测试的效率及准确性。
