B体育近日，笔者在《半导体设备巨头，怎么看？》一文中，透过设备大厂的财报和行业动态，揭示了这个被称为半导体行业“压舱石”赛道的市场起伏与未来预期，映衬出市场的兴衰。
而另一个被誉为“半导体风向标”的存储市场，在如今业界对行业复苏与转折的强烈预期中，正经历着怎样的转折与演变？残酷周期之后又是否能苦尽甘来？
受终端需求不振和产业链库存高企影响，自2022年至今，存储行业经历了一场“史无前例”的危机。
彼时，三星电子利润暴跌97%、SK海力士创下有史以来最大亏损、美光科技、西部数据等存储大厂库存持续攀升，存储芯片价格也跌入谷底。
存储“寒冬”之下，2023年几家存储大厂集体经营亏损预估达破纪录的50亿美元，创下过去15年来最严重的低迷。
自2022年第四季度起，上游铠侠、美光科技、SK海力士、三星等国际存储芯片大厂就纷纷启动削减开支减产，调整供给。
三星电子：2023Q4公司资本开支同比减少25.53%降至14.0万亿韩元。公司计划到2024H1为止，将NAND产量削减规模扩大40%-50%。
SK海力士：2023年公司资本开支同比减少50%降至9.5万亿韩元，并预计2024年资本开支同比小幅增长。2023年10月公司表示NAND的减产措施至少持续至2024年6月。
美光：2023财年美光各季度资本开支呈现逐季下滑趋势，至FQ1-24公司资本开支环比大幅增长88.89%升至17亿美元。2022年11月公司首次宣布减产并逐步扩大减产幅度（20%→25%→30%），同时公司预计2024年晶圆开工率仍将显著低于2022年的水平。
在经历了漫长的行业下行周期之后，结合原厂消减资本开支，减少晶圆产能等多重措施，使得存储市场供需回归平衡。
至2023年四季度，存储赛道释放出了多个乐观信号，库存减少、订单见长、原厂酝酿涨价等一系列反转迹象都在表明——整个存储行业的周期底部越来越明显，存储芯片行业或许迎来了拐点。
2024年1月结束之际，三星电子公布了2023年第四季度（截至2023年12月31日）财报，三星电子该季度营收为67.78万亿韩元，环比增长0.6%，同比下降3.8%。其中，存储业务营收为15.71万亿韩元，环比增长49%，同比增长29%。
2023年全年，三星电子的营收为258.94万亿韩元B体育，同比减少14.32%；营业利润为6.57万亿韩元，同比减少84.85%。
这是三星电子自2009年以来营业利润首次跌破10万亿韩元，其全年净利润为15.49万亿韩元，达十二年来最低。其中，2023年三星的半导体业务创纪录地亏损了14.88万亿韩元，该业务在2022年盈利23.82万亿韩元。
不过，从三星芯片业务在2023年各季度的表现可以看出，到2023Q4，相关亏损已有所收窄。三星表示，随着客户削减库存至健康水平，存储芯片业务显著增强。同时，PC和移动设备单机存储容量增加，以及IT行业对生成式人工智能的投资不断扩大，服务器需求出现了复苏的迹象，三星电子存储业务整体市场较上一季度出现复苏。
展望未来，三星预计未来需求将集中在先进节点，存储业务计划将重点放在基于尖端节点竞争力的盈利能力上。今年一季度，三星将继续专注包含HBMB体育、DDR5、UFS 4.0和服务器SSD等高附加值产品在内的销售，推动盈利能力不断改善。
2023年四季度存储公司业绩走向扭转也成为普遍趋势，SK海力士是存储巨头中率先实现全公司单季度扭亏的公司。
据财报显示，SK海力士2023财年第四季度结合并收入为11.306万亿韩元，营业利润为0.346万亿韩元，成功实现扭亏为盈。SK海力士仅时隔一年就摆脱了从2022年第四季度以来一直持续的营业亏损。
但其2023全年仍在亏损中，SK海力士2023年实现营收32.766万亿韩元，经营亏损7.73万亿韩元，经营利润率-24%。
对于为何能快速实现扭亏为盈，SK海力士表示，去年在DRAM方面，公司以牵引市场的技术实力积极应对了客户需求，使得主力产品DDR5 DRAM和HBM3的收入同比分别增长4倍和5倍以上。
顺应高性能DRAM需求的增长趋势，SK海力士将顺利进行用于AI的存储器HBM3E的量产和HBM4的研发，同时将DDR5 DRAM和LPDDR5T DRAM等高性能、高容量产品及时供应于服务器和移动端市场。而且，公司为了应对持续增长的AI服务器需求和端侧AI的应用普及，将为准备高容量服务器模组MCRDIMM和移动端模组LPCAMM2竭尽全力，由此持续保持技术领先优势。
另外，对于市况复苏相对缓慢的NAND闪存，2023年主要集中于投资和费用的效率化。后续，SK海力士决定通过以eSSD等高端产品为主扩大销售，改善盈利并加强内部管理。
去年12月，美光公布了截至2023年11月30日的2024财年第一财季财报B体育，该季美光营收47.26亿美元，同比增长15.6%，环比上升17.86%。
美光CEO Sanjay Mehrotra对外透露，得益于生成式AI的火爆，推动了云端高性能AI芯片对于HBM的旺盛需求，美光2024年的HBM产能预计已全部售罄。 同时，2024年PC销售量有望成长1~5%，结束连续两年跌势; 智能手机需求也有望出现复苏迹象。
展望未来，美光表示已做好充分准备，抓住人工智能为终端市场带来的巨大机遇，预计第二财季营收为53亿美元左右，同比大幅增长。业务基本面将在2024年得到改善，行业TAM预计将在2025年实现突破。
综合市场情况来看，存储原厂严格控制出货节奏，下游厂商都在积极备货，当下的价格传导机制是较为顺畅的。
存储巨头业绩回暖的背后，也是曾经“跌跌不休”的存储芯片价格开始转折的信号。
据了解，自去年10月以来，DRAM存储芯片和NAND闪存芯片价格连续反弹。去年四季度，Mobile DRAM合约价季涨幅预估将扩大至13%至18%。NAND Flash方面，eMMC、UFS第四季合约价涨幅约10%至15%，多个型号的存储芯片呈现涨价之势。
据存储器模块厂商透露，三星电子、SK海力士、美光等存储大厂，正规划今年第一季将DRAM价格调涨15%-20%。
至于2024年存储芯片市况，全球市场调查机构TrendForce集邦咨询最新调查显示，DRAM产品合约价自2021年第四季开始下跌，连跌八季，至2023年第四季起涨。NAND Flash方面，合约价自2022年第三季开始下跌，连跌四季，至2023年第三季起涨B体育。在面对2024年市场需求展望仍保守的前提下，二者价格走势均取决于供应商产能利用率情况。
集邦咨询预计，今年一季度DRAM合约价季涨幅约13~18%；NAND Flash则是18~23%。第二季度，DRAM与NAND Flash合约价季涨幅皆收敛至3~8%。第三季由于是传统旺季，DRAM与NAND Flash两者合约价季涨幅有机会同步扩大至8~13%。第四季在供应商能够维持有效的控产策略的前提下，涨势应能延续，预估DRAM合约价季涨幅约8~13%。NAND Flash合约价季涨幅则预估0~5%。
其中，在DRAM市场，DDR5和HBM渗透率的上升将进一步推高整体平均售价，从而扩大合约价格环比涨幅。
根据Gartner的数据，2024年全球半导体市场规模预计将同比增长16.8%，达到6240亿美元。这一增长主要受到存储芯片的推动，预计存储芯片将在2024年增长66.3%。
具体来看，全球DRAM市场规模2024年有望达到874亿美元，同比增长88%；随着NAND价格的触底反弹，2024年全球NAND市场预计将强劲复苏，同比增长49.6%，达到530亿美元。
整体来看，存储价格在2024年将基本延续价格季度环比增长趋势，2024年存储原厂扭亏为盈将指日可待。
作为全球半导体市场“晴雨表”，存储芯片的价格止跌回升可能预示着新一轮市场周期的到来。
除了坚定地执行去库存策略的上游企业，下游的消费电子市场回暖、新兴AI相关需求以及HBM的崛起等正逐渐成为此次存储行业复苏中的“加速器”。
作为半导体产业的三大支柱之一，存储芯片的重要性无需多言，在消费电子、智能终端、数据中心等诸多领域有着非常广泛的应用。
在三大应用市场中，现阶段智能手机需求较为明朗，全球手机销量环比回暖，在华为强势归来以及国内手机容量配置提升的影响下，中国手机市场也得到提振。
PC市场环比需求也在逐步改善，渠道库存回归正常水位，在新处理器平台以及Windows更新的带动下，明年将会迎来一定的换机需求。
据IDC预测，2024年，半导体市场的两个关键驱动因素预计将复苏。智能手机销量在2023年下降5%后，到2024年将增长4%。IDC预计PC销量在2023年急剧下降14%后B体育，到2024年将增长4%。
能看到，消费电子市场整体正以缓慢而稳定的速度逐步扭转低迷状态，中长期内有望实现复苏。
同时，随着5G、物联网以及AI等技术普及，AI PC、智能手机等智能终端也将助力存储器需求增长。
2024年被大多PC厂商视做“AI PC元年”，AI PC 运行本地大模型对内存需求提升，更高的内存传输速率和更大的内存空间。据悉，AI PC DRAM容量是普通PC的2倍左右。
前段时间，高通、AMD、英特尔接连发布具备AI性能的处理器，加之2025年微软的Windows10将会停止服务，软硬件与处理器的更新有可能拉动新一波的PC换机需求，也为存储器——尤其是DDR5带来一波市场增量。
尤为值得注意的是，被AI服务器引爆的HBM存储需求迅速增加，价格也水涨船高。HBM“救场”存储芯片巨头财报，也成为当下亮点。
SK海力士在财报中指出，随着人工智能服务器和移动应用的需求增加，推动ASP上升。其主要产品DDR5和HBM3的销量较上年同期分别增长了4倍多和5倍以上，并正在积极开发HBM4，同时向服务器和移动市场提供高性能的DDR5和LPDDR5T等高容量产品，以满足对高性能DRAM日益增长的需求。
SK海力士之所以能实现业绩大增，扭亏为盈的最关键驱动力，也是先进DRAM芯片，特别是HBM。
目前存储行业普遍面临的命题将是如何提高盈利能力，头部存储厂商均表示将加码适用于AI时代的高性能存储产品。
AI服务器对DRAM和NAND的容量需求分别是常规服务器的8倍和3倍，预计将带动服务器存储需求实现数倍增长。其中，高端AI服务器GPU搭载HBM芯片已成主流。
能看到，生成式AI带来了HBM高涨的需求，将存储芯片行业从库存调整与亏损的“水深火热”中，提前解救了出来。
虽然2023年缩减开支是重头戏，但存储芯片巨头们在HBM方向的投资仍相当舍得。据TrendForce调查显示，存储原厂在面临英伟达、AMD以及亚马逊等云服务厂商自研芯片的加单下，试图通过加大TSV产线来扩增HBM产能。
在HBM市场领先的SK海力士正通过提高生产力、加快设备交付时间和削减其他领域的投资等努力，确保HBM3的产能和投资；稳居全球存储芯片第一的三星，自然不甘在HBM这一极具前景的细分市场屈居于SK海力士身后，亦加大马力争取新订单并专注于HBM等高附加值产品的销售；美光科技也在紧追不舍，其HBM3E预计将在2024年第三季度/第四季度开始出货。
从原厂规划来看，预估2024年HBM供给位元量将年增105%。此前TrendForce预测，2023年HBM需求量同比增长58%，2024年有望再增长约30%。据Omdia预测，2025年HBM市场的总收入将达到25亿美元。
此外，AI服务器不仅带旺了HBM，也使DDR5需求急速上升，激励厂商出货快速增加。基于上述趋势，HBM3、DDR5以及NAND等高端存储产品的销量开始提升。
伴随本轮半导体下行周期走向逐渐复苏，头部存储厂商接下来将持续推进盈利能力修复进程。其中主要抓手就是大容量、高性能的产业类型，尤其是面向AI时代的存储器需求。
综合需求端情况来看，智能手机、PC边际改善，终端库存基本出清，未来新品发布，容量升级均拉动需求改善；服务器方面，AI算力紧俏拉动HBM需求，三大厂争先布局HBM，叠加通用服务器CPU升级推动DDR5渗透，预计下半年需求加速改善。
此外，汽车存储市场发展迅速，随着汽车新四化趋势不断推进，拉动车载存储器需求。根据Yole报告，2021年，汽车存储器市场规模达到43亿美元，预计2021到2027年的年均复合增长率为20%，超过同期存储器市场和汽车半导体市场的增速。
另外，高速存储、高可靠性、数据安全性相关应用也将具有很大的发展潜力，比如5G基站、物联网、云计算、大数据、智能工厂、可穿戴设备等新兴应用，对存储芯片的功耗、安全性、传输速率、体积和成本会有更高的要求。
虽然这些细分应用短期内并不能直接改变存储芯片市场大趋势，但其丰厚的利润率和增量也将在一定程度上让存储芯片厂商受益，且长期需求值得关注。
但也有业内人士强调：“半导体行业将从2024年起全面反弹。在原厂减产效应的影响下，晶圆价格上涨的趋势已经形成，但尽管目前下游市场对存储器的采购需求有一定的恢复，后续的涨价幅度与涨价频率，仍取决于下游终端需求能否形成持续支撑，需要持续关注宏观经济复苏情况。”
存储芯片是半导体标准化程度最高的市场，周期性显著，市场弹性较强，被视为半导体产业周期的风向标。
同时，在半导体行业众多细分市场中，存储器由于占比较大，也是拉动半导体行业复苏回升的主要驱动力之一。
据了解，存储芯片销售额走势与整体半导体走势高度协同，但波动性位于行业第一。从历史数据来看，半导体以及存储细分赛道呈现出趋同的周期性，但存储板块波动性位于行业第一位。2005年以来全球半导体行业已经历多轮周期，当下我们正走在2023年底部以来的上行周期。
在整体行业处于下行周期时，存储市场往往会受到更大冲击，而相应地若处于从低谷持续回暖的上行周期，存储芯片市场也将会相对受益更多。
据IDC分析，在经历了行业周期的低迷期后，2024年半导体市场将开启新一轮复苏。存储芯片是半导体产业第二细分市场，自消费市场需求疲软以来，存储芯片成为最受冲击的细分领域之一，其复苏迹象在半导体行业也具有“风向标”意义，或许也暗示着半导体行业将加快复苏。
但也有声音指出，不同于此前几轮行业周期，本轮存储器市场的扭转，来自需求端的拉动力要小于上游原厂减产带来的效应，是通过减少供应来加速行业走向供求平衡。
“减产是原厂不得已为之，在这轮调整中，上游存储大厂面临着亏损和高库存的双重压力，只能通过减产来重新平衡供需关系。”前述产业链人士表示，“其实几个大厂同时发提价预告，也有点试探性意味，看看下游买不买账，最终还是要看下游需求，供需关系不是一下子能反转过来的。”
无论如何，作为典型的周期成长行业，存储市场已经摆脱了前几个季度连续下滑的最坏时刻，正处于新一轮成长的黎明期。
