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美国要慌了!国产65nm光刻机实现量产可通过多重曝光制造8nm芯片NG体育娱乐

发布时间:2024-09-15 20:39浏览次数: 来源于:网络

  NG体育平台根据工业和信息化部的信息,中国已经实现了65nm光刻机的量产,并且可以通过多重曝光制造8nm芯片。

  很多人可能不知道,采用ArF光源,也就是193nm波长的光源,这是第四代光刻机NG体育娱乐,这也标志着中国和ASML在光刻机上仅有1代的差距。

  光刻机发展这么久,最主要的还是所使用的光源的改进NG体育娱乐,每次光源的改进都显著提升了光刻机的工艺制程水平,以及生产的效率和良率。

  目前来说,光刻机共经历了五代的发展,从最早的436波长,再到第二代光刻机开始使用波长 365nm i-line,第三代则是 248nm 的 KrF 激光。第四代就是 193nm 波长的 DUV 激光,这就是著名的 ArF 准分子激光。

  此次公开的第四代光刻机,单次曝光就只可以直接生产65nm芯片,如果使用套刻精度在1.9nm左右的工作台,在多次曝光下能够实现11nm制程工艺的芯片生产。如果改用套刻精度更优的华卓精科工作台(1.7nm),在多重曝光下更是能够实现8nm-7nm制程工艺的芯片生产。

  一旦可以制造8nm芯片,就可以解决半导体产业大部分的需求,因为芯片制造6大设备,扩散炉、刻蚀机,离子注入设备、薄膜生长设备、抛光机和清洗剂,中国目前都处在主流水平,其中刻蚀机更是达到了5nm,完全可以完成8nm芯片的制造需求。

  而目前光刻机材料如电子特气、光刻胶等也在加速国产化,南大光电目前已经可以生产出7nm的光刻胶。

  这也就意味着,中国当前已经具备了打造纯国产芯片产业链的可能性。这不仅能够解决芯片代工被限制的问题,打破国外厂商的对于IC前端光刻机市场的垄断,而且能够覆盖更为广阔的市场需求,促进国产半导体行业的发展。

  可以说,实现65纳米光刻机,意味着军事独立中国军事上用的芯片,可以不用进口和走私,在整个西方国家封锁的条件下NG体育娱乐,在西太平洋战胜美国。

  实现28纳米光刻机,意味着工业独立。中国的空调洗衣机汽车等各类工业品,可以在西方国家脱钩断链技术制裁的情况,自主生产销售。

  实现7纳米光刻机,意味着中国电子产业独立。绝大部分的手机芯片,电脑硬盘内存cpu显示器等各类电子产业,都能摆脱国外限制。

  很多人觉得65nm落后NG体育娱乐,但你知不知道,2000年就已经出来的130nm芯片,这个比65nm还落后两代的货,目前全球仍只有30家企业有能力制造。

  至于大家非常关心的第五代EUV光刻机,预计在2030年量产,由长春光机所来进行研发,2008年国家“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”科技重大专项将EUV光刻技术列为“32-22nm装备技术前瞻性研究”重要攻关任务。

  长春光机所联合中国科学院光电技术研究所、中国科学院上海光学精密机械研究所、中国科学院微电子研究所、北京理工大学NG体育娱乐、哈尔滨工业大学、华中科技大学开展了“极紫外光刻关键技术研究”项目研究工作。

  长春光机所90年代就已经开始预研EUV技术,2017年,长春光机所承担的国家科技重大专项项目“极紫外光刻关键技术研究”顺利通过验收,突破了制约我国极紫外光刻发展的超高精度非球面加工与检测、极紫外多层膜、投影物镜系统集成测试等核心单元技术,成功研制了波像差优于0.75 nm RMS 的两镜EUV 光刻物镜系统,构建了EUV 光刻曝光装置,国内首次获得EUV 投影光刻32 nm 线宽的光刻胶曝光图形,建立了较为完善的曝光光学系统关键技术研发平台。

  不过,一台 EUV 光刻机重达 180 吨,超过 10 万个零件,需要 40 个集装箱运输,安装调试都要超过一年时间。如此多的零件,一个国家想要完成,难度实在太大,2030年实现量产,就已经是重大突破了。

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