NG体育官网app下载芯片制造是当今世界最为复杂的工艺过程。这是一个由众多顶尖企业共同完成的一个复杂过程。本文努力将这一工艺过程做一个汇总，对这个复杂的过程有一个全面而概括的描述。
半导体制造工艺过程非常多，据说有几百甚至几千个步骤。这不是夸张的说法，一个百亿投资的工厂做的可能也只是其中的一小部分工艺过程。对于这么复杂的工艺，本文将分成五个大类进行解说：晶圆制造NG体育娱乐、光刻蚀刻、离子注入、薄膜沉积、封装测试。
◈ 切片的晶圆片使用旋转研磨机和氧化铝浆料进行机械研磨，使晶圆片表面平整、平行，减少机械缺陷。
◈然后在氮化酸/乙酸溶液中蚀刻晶圆，以去除微观裂纹或表面损伤，然后进行一系列高纯度RO/DI水浴。
◈抛光过程通常包括两到三个抛光步骤，使用越来越细的浆液和使用RO/DI水的中间清洗。
◈使用SC1溶液(氨，过氧化氢和RO/DI水)进行最终清洗，以去除有机杂质和颗粒。然后，用HF除去天然氧化物和金属杂质，最后SC2溶液使超干净的新的天然氧化物在表面生长。
◈ EPI生长的目的是在衬底上形成具有不同(通常较低)浓度的电活性掺杂剂的层。例如，p型晶圆片上的N型层。
近年大量提及的光刻机，只是众多工艺设备中的一个。即使是光刻，也有很多的工艺过程和设备。
光刻胶是一种光敏材料。将少量光刻胶液体加在晶圆片上。晶圆片在1000到5000 RPM的速度下旋转，将光刻胶扩散成2到200um厚的均匀涂层NG体育娱乐。
IC设计人员使用CAD软件设计每层的图案。然后使用激光图案发生器或电子束将图案转移到具有图案的光学透明石英衬底(模板)上。
◈ BOE，或缓冲氧化物蚀刻剂，由氟化铵缓冲的氢氟酸制备，用于去除二氧化硅，而不会蚀刻掉底层的硅或多晶硅层。
◈离子注入器使用高电流加速器管和转向聚焦磁铁NG体育娱乐，用特定掺杂剂的离子轰击晶圆表面。
当硅在氧气中存在时，SiO2会热生长NG体育娱乐。氧气来自氧气或水蒸气。环境温度要求为900 ~ 1200℃NG体育娱乐。发生的化学反应是
氧气和水都会通过现有的SiO2扩散，并与Si结合形成额外的SiO2。水(蒸汽)比氧气更容易扩散，因此蒸汽的生长速度要快得多。
氧化物用于提供绝缘和钝化层，形成晶体管栅极。干氧用于形成栅极和薄氧化层。蒸汽被用来形成厚厚的氧化层。绝缘氧化层通常在1500nm左右，栅极层通常在200nm到500nm间。
化学气相沉积(CVD)通过热分解和/或气体化合物的反应在衬底表面形成薄膜。
可添加磷(磷化氢)、硼(二硼烷)或砷气体。多晶硅也可以在沉积后用扩散气体掺杂。
下面用一个案例，来详细说明一下光刻、蚀刻，到离子沉积的过程中，硅片上的电路是如何一步步成型的：
在最终线路制备完成后，使用自动化探针测试方法测试晶圆上测试器件，剔除不良品。
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